Low-frequency Noise Characteristics of SiGe-channel PMOSFETs with High-compressive ILD-SiN<sub>x</sub> Stressing Layer

2008 International Conference on Solid State Devices and Materials

2008年9月23日〜 2008年9月26日
Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA), Ibaraki, Japan

Y. T. Chen¹、K. M. Chen²、W. S. Liao³、G. W. Huang²、F. S. Yeh¹ (1.National Tsing Hua Univ.、2.National Nano Device Labs.、3.UMC, Taiwan)