[B-2-1] Thermally stable Ni-silicide gate electrode with TiN barrier metal for NAND flash memory application with 24 nm technology and beyond

S. J. Whang¹, M. S. Joo¹, B. M. Seo¹, K. E. Chang¹, W. K. Kim¹, T. W. Jung¹, G. H. Kim¹, J. Y. Lim¹, K. Y. Kim¹, K. Hong¹, S. K. Park¹ (1.Hynix Semiconductor Inc.)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2009.B-2-1