[H-1-6] Low-dislocation-density 50nm Ge Fin Fabrication on Si substrate

C. T. Chung¹, S. C. Huang², G. L. Luo², C. H. Ko³, C. H. Wann³, H. Y. Lin³, Z. Y. Han¹, C. C. Cheng¹, C. H. Chien^1,2 (1.National Chiao Tung Univ.(Taiwan), 2.National Nano Device Lab.(Taiwan), 3.TSMC(Taiwan))

https://doi.org/10.7567/SSDM.2009.H-1-6