[K-1-6] Dislocation-Based Si-Nanodevices
M. Reiche1、M. Kittler2、D. Buca3、A. Hähnel1、Q. T. Zhao3、S. Mantl3、U. Gösele1
(1.Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik(Germany)、2.IHP Frankfurt(Germany)、3.Forschungszentrum Jülich(Germany))
https://doi.org/10.7567/SSDM.2009.K-1-6