[P-6-14] Width Dependent Electrically Stress Degradation of Bottom Gate Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors

D. H. Nam¹, K. I. Chai¹, S. S. Park¹, J. G. Park¹, H. J. Yun¹, W. H. Choi¹, H. D. Lee¹, G. W. Lee¹ (1.Chungnam National Univ.)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2009.P-6-14