2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

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[PS-8-11] Degradation and Effective Encapsulation of Few-Layer 1T'-MoTe₂ thin Film

Z. Xie^1,2, L. Yang^1,2, H. Wu^1,2, J. Li^1,2, X. Lou^1,2, R. Zhu^1,2, X. Yu^1,2, H. Chang^1,2,^○W. Zhang^1,2 (1.Huazhong University of Science and Technology (China), 2.Shenzhen R&D Center of Huazhong University of Science and Technology (China))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:40 〜 16:41 |PDF ダウンロード

[PS-8-12] Graphene-Base Hot Electron Transistor with Schottky Emitter Junction Fabricated by Semiconductor Membrane Transfer

^○C. Liu¹, W. Ma¹, M. Chen¹, W. Ren¹, H. Cheng¹, D. Sun¹ (1.Inst. of Metal Res., CAS (China))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:41 〜 16:42 |PDF ダウンロード

[PS-8-13] Electronic Band Structure of TiN/MgO-4x4 and 5x5 nanostructures

^○K. Kobayashi¹, H. Takaki², M. Shimono¹, N. Kobayashi², K. Hirose³ (1.NIMS (Japan), 2.Univ. of Tsukuba (Japan), 3.NEC Corp. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:42 〜 16:43 |PDF ダウンロード

[PS-8-14] Withdrawn

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:43 〜 16:44

[PS-8-15] A layered graphene oxide/graphene electrode for electrochemical biosensor applications

^○P.Y. Chien¹, C.H. Huang¹, Y. Li¹ (1.Ming Chi Univ. of Tech. (Taiwan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:44 〜 16:45 |PDF ダウンロード

[PS-8-16] Growth and characterization of SnS_2(1-x)Se_2xalloys

^○C.F. Tsai¹, D.Y. Lin¹, T.S. Ko¹, S.B. Hwang² (1.National Changhua Univ. of Education (Taiwan), 2.Chienkuo Technology Univ. of Changhua (Taiwan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:45 〜 16:46 |PDF ダウンロード

[PS-8-17] Hysteretic Single Walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor for Ultralow Static Power Consumption Application

^○S. Wang^1,2, Q. Huang³, J. Zhao³, X. Zhao¹, Y. Zhou^1,2, X. Liu^1,2, X. Liang³ (1.Inst. of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences (China), 2.Univ. of Chinese Academy of Sciences (China), 3.Peking Univ. (China))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:46 〜 16:47 |PDF ダウンロード

[PS-8-18] First-Principles Calculations for Li Adatom Diffusion on Graphene Surface through V₆ Defect Partly Terminated by Hydrogen Atoms

^○T. Kawai¹, K. Shiota¹ (1.Univ. of Tsukuba (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:47 〜 16:48 |PDF ダウンロード

[PS-8-19] Tunable arsenene bandgap in Arsenene/Graphene Heterostructures

^○Z. Luo¹, D. Han¹, J. Dong¹, H. Li¹, W. Yu², S. Zhang^1,2, X. Zhang¹, Y. Wang¹ (1.Inst. of Microelectronics, Peking Univ. (China), 2.Shenzhen Graduate School, Peking Univ. (China))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:48 〜 16:49 |PDF ダウンロード

[PS-8-20] Mo₂C/MoS₂ Lateral Heterostructure formed by Chemical Conversion of Molybdenum Disulfide

^○C. Seunghyuk¹, J. Jeon¹, Y.J. Song¹, J.H. Cho¹, S. Lee¹ (1.Sungkyunkwan Univ. (Korea))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:49 〜 16:50 |PDF ダウンロード

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