[G] Semiconducting / Dielectric Materials

[234] Local structural change in inverse resistance change Cr₂Ge₂Te₆ phase change material

*HATAYAMA Shogo¹, YI Shuang¹, Fons Paul^2,3, Saito Yuta², Kolobov Alexander^2,4, Kobayashi Keisuke⁵, Shindo Satoshi¹, Ando Daisuke¹, Sutou Yuji¹ (1. Tohoku Univ., 2. AIST, 3. JASRI, 4. Herzen State Pedagogical Univ., 5. Kochi Univ.)

Keywords:相変化メモリ、アモルファス、Cr-Ge-Te、局所構造

新規相変化材料Cr₂Ge₂Te₆(CrGT)は逆抵抗変化を示し、デバイスは高速なメモリ動作を示すことが知られているものの、その機構は明らかとなっていないため、本研究では局所構造の観点からCrGTの相変化機構を調査した。