[G] Semiconducting / Dielectric Materials

[236] Fabrication of Layered Chalcogenide pn junction, their Interfaces and Electronic Structure

*SAITO Yuta¹, FONS Paul¹, MAKINO Kotaro¹, MITROFANOV Kirill¹, UESUGI Fumihiko², TAKEGUCHI Masaki², KOLOBOV Alexander³, TOMINAGA Junji¹ (1. AIST-NeRI, 2. NIMS, 3. AIST-NeRI (Present: Herzen Univ.))

Keywords:カルコゲナイド、不揮発性メモリ、pn接合、Sb₂Te₃、Bi₂Te₃

スパッタ法にてSb₂Te₃/Bi₂Te₃ヘテロ積層膜を作製し、その結晶性や界面の微細組織を観察、そして電気特性を評価した。電子状態については第一原理計算によって理論計算を行った。