[P] P75~P79

[P78] AuSb合金を用いたMIC法によるGe薄膜の結晶化

*梨木 祐真¹、スントンパン ナリン¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工業大学、2. 芝浦工業大学半導体人材育成センター)

キーワード：半導体、低温結晶化、薄膜トランジスタ、MIC法、金属誘起結晶化

MIC法は前駆体アモルファス半導体に金属を導入し低温で結晶化する方法である。本研究はMIC法を利用しAuおよびAuSbを金属触媒とした際のGe結晶の結晶性と電気特性の違いを明らかにすることを目的とする。