[S7] S7.ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングVI

[S7.3] 界面再構成法による各種溶媒中4H-SiC (000-1)上のステップバンチングのスクリーニング評価の試み

*野路 知哉¹、中本 将嗣²、鈴木 賢紀²、吉川 健²、川西 咲子³、三谷 武志⁴、Chaussende Didier⁵ (1. 阪大工（院生）、2. 阪大工、3. 京大エネ科、4. 産総研、5. CNRS-SIMaP)

キーワード：SiC結晶成長、SiC溶液成長、ステップバンチング、界面再構成法、機械学習

界面再構成実験を用いて、Si-Cr合金への添加成分の影響を調査し、バンチング抑制に必要な添加量に違いがあることを確認した。加えて、機械学習によって炭素親和性がステップ間隔への影響が大きいことを確認した。