[17a-B5-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 09:15 〜 12:00 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:15 〜 09:30

△ [17a-B5-1] 量子分子動力学法に基づくフルオロカーボンラジカルによるSiO₂エッチングプロセスの解明

^○（D）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

09:30 〜 09:45

[17a-B5-2] SOG溶液を用いた塗布ゲート酸化膜の低温作製

^○臼田亮，野崎眞次，内田和男 (電通大)

09:45 〜 10:00

△ [17a-B5-3] スピンオングラスおよびCO₂レーザーアニールを用いた多結晶シリコン薄膜上へのSiO₂薄膜形成

^○菱谷大輔¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，渡辺陽介³，池上浩³，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，科学技術振興機構²，九大³)

10:00 〜 10:15

▲ [17a-B5-4] Silicon Surface oxidation and Passivation by Remote Induction-Coupled Oxygen Plasma

鮫島俊之，蓮見真彦，吉冨真也，中村友彦，^○（B）滋野聖 (東京農工大)

10:15 〜 10:30

[17a-B5-5] Si酸化膜正孔トラップ密度のSi面方位依存性

^○（M2）梅田啓介^1,3，岡田啓太郎^2,3，小林大輔³，野平博司¹，廣瀬和之³ (東京都市大工¹，早稲田大²，宇宙研³)

休憩　 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

▲ [17a-B5-6] Evaluation of Interface State Density of Strained-Si MOS Interfaces by Conductance Method

^○蔡偉立，竹中充，高木信一 (東大院工)

11:00 〜 11:15

△ [17a-B5-7] MONOS型メモリに特有な界面準位生成/回復現象とその起源

^○藤井章輔，佐久間究 (東芝)

11:15 〜 11:30

[17a-B5-8] 分子軌道法を用いた絶縁破壊電界推定法の考察

^○若尾周一郎^1,3，関洋^2.3，小林大輔³，山本知之¹，泰岡顕示²，廣瀬和之³ (早大工¹，慶応大²，宇宙研³)

11:30 〜 11:45

[17a-B5-9] InAs層の導入によるAl₂O₃/GaSb MOS界面特性の改善

^○（PC）横山正史¹，横山春喜²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，NTTフォトニクス研²)

11:45 〜 12:00

△ [17a-B5-10] GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証

^○（M1）後藤高寛^1,2，藤川紗千恵¹，藤代博記¹，小倉睦郞²，安田哲二²，前田辰郎^1,2 (東理大院基礎工¹，産総研²)