2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術

[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 B4 (TC2 1F-106)

13:15 〜 13:30

[20p-B4-2] Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (1) 熱履歴依存性

山下広樹1,鹿浜康寛1,小杉山洋希1,橋本修一郎1,武井康平1,孫静1,松川貴2,昌原明植2,渡邉孝信1 (早大理工1,産総研2)

キーワード:ニッケルシリサイド,ナノワイヤ,熱履歴