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一般セッション(口頭講演)

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[30p-A7-1~8] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年3月30日(土) 13:00 〜 15:00 A7 (K1号館 3F-306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[30p-A7-0] 昼食(60分)

[30p-A7-1] MBE法により作製したエピタキシャルCo₃FeN薄膜のXMCD測定 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○伊藤啓太¹，佐内辰徳¹，安富陽子¹，都甲薫¹，竹田幸治²，齋藤祐児²，今井庸二³，木村昭夫⁴，末益崇¹ (筑波大数理物質¹，原子力機構²，産総研³，広島大理学⁴)

[30p-A7-2] MBE法により作製したエピタキシャルCo₃FeN薄膜の負のAMR効果 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○佐内辰徳¹，伊藤啓太¹，都甲薫¹，鹿原和樹²，角田匡清²，末益崇¹ (筑波大院電物¹，東北大院電情応物²)

[30p-A7-3] MBE法によるMn₄N薄膜の成長 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○安富陽子，佐内辰徳，伊藤啓太，都甲薫，末益崇 (筑波大院数理電物)

[30p-A7-4] △スピンクラスター形成の熱力学的考察 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○劉カン，伊藤治彦 (東工大総理工)

[30p-A7-5] 白金超薄膜の異常ホール効果 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○高橋圭¹，清水直²，川崎雅司^1,2,3，岩佐義宏^2,3，十倉好紀^1,2,3 (理研　CMRG¹，理研　CERG²，東大工³)

[30p-A7-6] インジウム・スズ酸化物におけるスピンホール角及び拡散長 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○邱志勇，安藤和也，内田健一，梶原瑛祐，安東秀，藤川安仁，齊藤英治 (東北大)

[30p-A7-7] ▼Influence of interface termination layer on temperature dependence of tunneling magnetoresistance of Co₂MnSi/MgO-based magnetic tunnel junctions (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○劉宏喜¹，本田佑輔¹，松田健一¹，植村哲也¹，山本眞史¹，石峰源²，Paul Voyles² (北大情報¹，Univ. of Wisconsin-Madison²)

[30p-A7-8] ▲Tunnel magnetoresistance effect in Fe/MgO/Fe₂O₃/Fe/IrMn junctions (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○野崎隆行^1,2，久保田均^1,2，福島章雄^1,2，湯浅新治^1,2 (産総研　ナノスピントロニクス研究センター¹，CREST-JST²)