一般セッション(口頭講演)

[29a-G3-1~8] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

2013年3月29日(金) 10:00 〜 12:00 G3 (B5号館 1F-2101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-G3-1] HIP法で作製したMgB₂バルク超伝導体の捕捉磁場特性Ⅱ (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○内藤智之，佐々木智久，吉田卓史，氏家徹，藤代博之 (岩手大工)

[29a-G3-2] PIT法MgB₂線材における充填粉末の予備熱処理の効果 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○熊倉浩明^1,2，高橋雅也² (物材機構¹，筑波大²)

[29a-G3-3] スパッタリング法で作製したBi,Pb2223薄膜の超伝導特性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○藤吉孝則¹，末吉哲郎¹，吉村兆貢¹，土屋啓輔¹，松本明善²，北口仁² (熊大工¹，物材機構²)

[29a-G3-4] ▲Surface Modified Target: A Novel Approach Towards Controlling the Microstructure and Critical Current Properties of YBCO Thin Film (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○Alok Jha¹，堀出朋哉¹，松本要¹，堀井滋²，吉田隆³，淡路智⁴ (九工大¹，高知工大²，名大³，東北大⁴)

[29a-G3-5] 低温磁化J_c特性に及ぼす人工ピンの影響 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○水戸瀬智久¹，淡路智¹，鈴木匠¹，渡辺和雄¹，飛田浩史²，吉積正晃³，和泉輝郎³ (東北大金研¹，フジクラ²，超電導工学研究所³)

[29a-G3-6] ▲Conditions for efficiency of force free cables (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○Vladimir Vyatkin，田辺賢次郎，和田純，木内勝，小田部荘司，松下照男 (九州工大)

[29a-G3-7] 後熱処理によるRE123焼結体の臨界電流特性の制御 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○下山淳一，廣田哲也，山本明保，荻野拓，岸尾光二 (東大院工)

[29a-G3-8] バルク高温超伝導体の横方向の磁束バンドルサイズの異方性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○松下照男 (九工大)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G3-1~15] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

2013年3月29日(金) 13:00 〜 17:00 G3 (B5号館 1F-2101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-G3-0] 昼食(60分)

[29p-G3-1] IBAD-MgO基板上に作製したBaHfO₃添加GdBa₂Cu₃O_y薄膜の磁場中J_c向上 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○樋川一好¹，吉田隆¹，一野祐亮¹，吉積正晃²，和泉輝郎²，塩原融²，加藤丈晴³ (名大工¹，超工研²，JFCC³)

[29p-G3-2] BHOピンを導入したPLD法GdBCO線材における磁界中の臨界電流密度特性の改善(2) (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○木内勝¹，永水隼人¹，小田部荘司¹，松下照男¹，飛田浩史²，吉積正晃³，和泉輝郎³，塩原融³ (九工大・情報工¹，フジクラ²，ISTEC-SRL³)

[29p-G3-3] △BaHfO₃人工ピンを導入した長尺GdBCO線材の臨界電流特性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○横溝孝明¹，井上昌睦¹，榊原崇志¹，田中健太¹，木須隆暢¹，飯島康裕²，齊藤隆²，中村達徳³，吉積正晃³，和泉輝郎³ (九大院シス情¹，フジクラ²，超電導工研³)

[29p-G3-4] △ターゲット交換法により作製したBaHfO₃添加LTG-SmBa₂Cu₃O_yの超伝導特性及び微細構造観察 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○三浦峻¹，吉田隆¹，一野祐亮¹，松本要²，一瀬中³ (名大工¹，九工大²，電中研³)

[29p-G3-5] △BaHfO₃添加量及び成膜温度の異なるSmBa₂Cu₃O_y薄膜の超伝導特性及び微細構造観察 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（M2C）鶴田彰宏¹，吉田隆¹，三浦峻¹，一野祐亮¹，一瀬中²，松本要³，淡路智⁴ (名大工¹，電中研²，九工大³，東北大⁴)

[29p-G3-6] BHO添加SmBCO薄膜における理想的c軸相関ピン特性 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○淡路智¹，菊池吉展¹，渡邊和雄¹，鶴田彰宏²，一野祐亮²，吉田隆²，松本要³ (東北大金研¹，名大工²，九工大工³)

[29p-G3-7] ナノロッド導入REBa₂Cu₃O_y薄膜における成膜条件に依存した局所的臨界電流密度分布 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○春田正和¹，一瀬中²，藤田夏斗¹，佐浦啓介¹，小椋裕太¹，前田敏彦¹，堀井滋¹ (高知工大環境理工¹，電中研²)

[29p-G3-7.1] 休憩(15分)

[29p-G3-8] △磁気モーメントのベクトル測定によるRE-123線材のJ_c-角度依存性評価 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○雁木卓¹，廣松聖人¹，今村和孝¹，東川甲平¹，井上昌睦¹，木須隆暢¹，吉積正晃²，和泉輝郎²，飛田浩志³，斉藤隆³ (九大院シス情¹，ISTEC²，フジクラ³)

[29p-G3-9] △走査型熱電レーザ顕微鏡による配向金属基板上に作製されたGdBCO膜の配向分布の評価 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○松浦祐貴¹，田上貴大¹，井上昌睦¹，木須隆暢¹，大松一也²，山口高史²，横江大作³，加藤丈晴³，平山司³ (九大院シス情¹，住友電工²，ファインセラミックスセンター³)

[29p-G3-10] YBCO薄膜の抵抗率の磁場角度依存性に対する柱状欠陥の方向分散の影響 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○末吉哲郎，古木裕一，藤吉孝則，光木文秋，池上知顯 (熊大工)

[29p-G3-11] 磁気顕微法によるFe(Se_0.5Te_0.5)バルクの粒間、粒内Jcの評価 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○木須隆暢^1,4，東川甲平^1,4，井上昌睦^1,4，Alberto Sala^2,4，Marina Putti^2,3,4，Carlo Ferdeghini^3,4 (九大院シス情¹，Univ. of Genova²，CNR-SPIN-Genova³，JST-SUPER-IRON⁴)

[29p-G3-12] SrFe₂(As_0.65P_0.35)₂単結晶のピン止め特性 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○筑本知子¹，小林達也²，宮坂茂樹²，田島節子²，田辺圭一¹ (超電導研¹，阪大理²)

[29p-G3-13] フッ化物基板上に MBE 成長したBa_1-xK_xFe₂As₂ (x = 0.0 - 1.0) 薄膜 (2) (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○高野志郎，上田真也，菅原弘晃，渡辺大樹，内藤方夫 (東京農工大工)

[29p-G3-14] 銀被覆(Ba,K)Fe2As2テープの作製と高磁界特性 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○戸叶一正¹，Zhaoshun Gao¹，平英明²，石田茂之²，木邦邦宏²，伊豫彰²，永崎洋²，松本明善¹，熊倉浩明¹ (物材機構¹，産総研²)

[29p-G3-15] 微細混合粉末を原料としたCoドープBa122多結晶バルクの作製 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（M1）林雄二郎¹，山本明保^1,2，荻野拓¹，下山淳一¹，岸尾光二¹ (東大院工¹，JST さきがけ²)

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