[18a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-A19-6] WSin/Ge接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除

^○内田紀行¹，岡田直也^1,2，宮崎剛英³，福田浩一¹，金山敏彦⁴ (産総研ナノエレ¹，JST-さきがけ²，産総研ナノシステム³，産総研⁴)

キーワード：Geコンタクト,フェルミレベルピニング解除,X線光電子分光