^○小林正起^1,2，宗田伊里也¹，竹田幸治³，原田慈久⁴，藤森淳⁵，JurajKrempasky²，ThorstenSchmitt²，大矢忍¹，田中雅明¹，尾嶋正治¹，VladimirStrocov² (東大工¹，Swiss Light Source/PSI²，原子力機構/SPring-8³，ISSP⁴，東大理⁵)

14:45 〜 15:00

▲ [19p-E7-8] Magnetic anisotropy and anisotropic magneto-resistance in non-magnetic III-V/GaMnAs superlattices depending on layer thickness and valence band offset

^○野崎大樹，堀井達哉，加来滋，吉野淳二 (東工大物性物理)

15:00 〜 15:15

△ [19p-E7-9] マンガンを添加したガリウム砒素発光ダイオードにおける可視光電界励起発光

^○（M1）丸尾大貴，PhamNamhai，田中雅明 (東大)

15:15 〜 15:30

▲ [19p-E7-10] Continuous reddish-yellow visible-light emission at room temperature in Mn-doped Si surface light-emitting diodes

^○NamhaiPham，DaikiMaruo，DucanhLe，MasaakiTanaka (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo)

15:30 〜 15:45

[19p-E7-11] 高濃度の窒素・空孔中心を含むダイヤモンドの光検出磁気共鳴スペクトラムの解析

^○松崎雄一郎¹，下岡孝明²，ズーシャオボ¹，アムサスロバート^1,3，角柳孝輔¹，根本香絵⁴，ムンローウィリアム¹，仙場浩一⁴，水落憲和²，齊藤志郎¹ (NTT物性基礎研¹，阪大基礎工²，ウイーン工科大³，国立情報学研究所⁴)

15:45 〜 16:00

[19p-E7-12] 永久スピンらせん状態における光励起スピンダイナミクスのモンテカルロシミュレーション

^○国橋要司¹，眞田治樹¹，後藤秀樹¹，小野満恒二¹，好田誠²，新田淳作²，寒川哲臣¹ (NTT物性研¹，東北大工²)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

▼ [19p-E7-13] Electric field effects on Li codoped (Ga,Mn)As

^○ShoheiMiyakozawa¹，LinChen²，FumihiroMatsukura^2,3，HideoOhno^1,2,3 (東北大FLT-RIEC¹，東北大WPI-AIMR²，東北大CSIS³)

16:30 〜 16:45

▼ [19p-E7-14] Electrical control of ferromagnetism in n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As quantum wells

^○（D）DucAnhLe，NamHaiPham，笠原裕一，岩佐義宏，田中雅明 (東大工学系研究科)

16:45 〜 17:00

[19p-E7-15] 強磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける外部電場による磁性変調

^○及川晴義，秋山了太，百瀬峻，黒田眞司 (筑波大院)

17:00 〜 17:15

△ [19p-E7-16] 非磁性半導体スピンフィルター実現に向けた二重量子井戸の改善

^○山士家貴志¹，横田昇一郎¹，澤田淳¹，相馬聡文²，関根佳明³，古賀貴亮¹ (北大院情報¹，神戸大院工²，NTT物性研³)

17:15 〜 17:30

▲ [19p-E7-17] Detection of inter-subband carrier rearrangement by using a magnetic focusing technique

^○岡安孝典，好田誠，新田淳作 (東北大)

17:30 〜 17:45

▲ [19p-E7-18] スピン干渉フィルター素子動作の検証

岩崎優，金善宇，橋本義昭，家泰弘，^○勝本信吾 (東大物性研)

17:45 〜 18:00

▲ [19p-E7-19] 量子ポイントコンタクト近傍のスピン偏極生成: 側面量子ドット検出

金善宇，橋本義昭，家泰弘，^○勝本信吾 (東大物性研)

18:00 〜 18:15

▲ [19p-E7-20] 半導体自己組織化量子ドットへのトンネル効果によるスピン注入；励起スピン密度依存性

楊暁傑，山村隆文，木場隆之，高山純一，AgusSubagyo，末岡和久，^○村山明宏 (北大院情報科学)

18:15 〜 18:30

[19p-E7-21] 高濃度CeドーピングSi薄膜における磁場誘起起電力I

^○宮田祐輔，吉村武，芦田淳，藤村紀文 (阪府大)

セッション一覧

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[17a-E7-40~56] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

▲ [17a-E7-40] Epitaxial Growth and Characterization of n-type Magnetic Semiconductor (In,Co)As

▲ [17a-E7-41] Interplay between strain, quantum confinement, and ferromagnetism in strained ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As

▼ [17a-E7-42] GaMnAsの反射MCD測定における多重反射の効果

▲ [17a-E7-43] Evaluation of spin property and magnetic field sensitivity of nitrogen-vacancy center in diamond using micropatterned substrate

▲ [17a-E7-44] A lateral-configuration-type spin photodiode consisting of a ferromagnet-semiconductor junction

[17a-E7-45] ガラス基板上に作製したアナターゼ型(Ti,Co)O₂薄膜

[17a-E7-46] 希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te中のCr不純物準位のSTM観察

[17a-E7-47] MBEにより成長した四元混晶希薄磁性半導体(Zn,Cr,Fe)Te薄膜の磁化特性

△ [17a-E7-48] 低温成長GaAsのキャリア及びスピン緩和の観測

△ [17a-E7-49] InGaAsPのスピン緩和時間の温度依存性

[17a-E7-50] 高濃度CeドーピングSi薄膜における磁場誘起起電力II

△ [17a-E7-51] Ge_1-xMn_xTe薄膜の異常ネルンスト効果

▲ [17a-E7-52] Highly efficient detection of pure spin currents in n-Ge using L2₁-Co₂FeSi Heusler-compound electrodes

▼ [17a-E7-53] Comparison of the resonant tunneling spectroscopy results between GaAs:Be and GaMnAs

▼ [17a-E7-54] Growth temperature dependence of the properties including the Fe-atom locations in ferromagnetic-semiconductor GeFe

▲ [17a-E7-55] Transport measurements toward gate-controlled transition between persistent and inverse persistent spin helix states

▲ [17a-E7-56] All electrical determination of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interactions in InGaAs narrow wires

[19p-E7-5~21] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

▲ [19p-E7-5] (Ga,Mn)Asの長波長光(λ > 820 nm)による光誘起FMRの励起過程

▲ [19p-E7-6] Detection of photo-induced ferromagnetic resonance in Co/Pd multilayers with oblique incidence angles

▲ [19p-E7-7] 磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける強磁性不純物バンドの解明

▲ [19p-E7-8] Magnetic anisotropy and anisotropic magneto-resistance in non-magnetic III-V/GaMnAs superlattices depending on layer thickness and valence band offset

△ [19p-E7-9] マンガンを添加したガリウム砒素発光ダイオードにおける可視光電界励起発光

▲ [19p-E7-10] Continuous reddish-yellow visible-light emission at room temperature in Mn-doped Si surface light-emitting diodes

[19p-E7-11] 高濃度の窒素・空孔中心を含むダイヤモンドの光検出磁気共鳴スペクトラムの解析

[19p-E7-12] 永久スピンらせん状態における光励起スピンダイナミクスのモンテカルロシミュレーション

▼ [19p-E7-13] Electric field effects on Li codoped (Ga,Mn)As

▼ [19p-E7-14] Electrical control of ferromagnetism in n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As quantum wells

[19p-E7-15] 強磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける外部電場による磁性変調

△ [19p-E7-16] 非磁性半導体スピンフィルター実現に向けた二重量子井戸の改善

▲ [19p-E7-17] Detection of inter-subband carrier rearrangement by using a magnetic focusing technique

▲ [19p-E7-18] スピン干渉フィルター素子動作の検証

▲ [19p-E7-19] 量子ポイントコンタクト近傍のスピン偏極生成: 側面量子ドット検出

▲ [19p-E7-20] 半導体自己組織化量子ドットへのトンネル効果によるスピン注入；励起スピン密度依存性

[19p-E7-21] 高濃度CeドーピングSi薄膜における磁場誘起起電力I

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10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[17a-E7-40~56] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

▲ [17a-E7-40] Epitaxial Growth and Characterization of n-type Magnetic Semiconductor (In,Co)As

▲ [17a-E7-41] Interplay between strain, quantum confinement, and ferromagnetism in strained ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As

▼ [17a-E7-42] GaMnAsの反射MCD測定における多重反射の効果

▲ [17a-E7-43] Evaluation of spin property and magnetic field sensitivity of nitrogen-vacancy center in diamond using micropatterned substrate

▲ [17a-E7-44] A lateral-configuration-type spin photodiode consisting of a ferromagnet-semiconductor junction

△ [17a-E7-48] 低温成長GaAsのキャリア及びスピン緩和の観測

△ [17a-E7-49] InGaAsPのスピン緩和時間の温度依存性

△ [17a-E7-51] Ge1-xMnxTe薄膜の異常ネルンスト効果

▲ [17a-E7-52] Highly efficient detection of pure spin currents in n-Ge using L21-Co2FeSi Heusler-compound electrodes

▼ [17a-E7-53] Comparison of the resonant tunneling spectroscopy results between GaAs:Be and GaMnAs

▼ [17a-E7-54] Growth temperature dependence of the properties including the Fe-atom locations in ferromagnetic-semiconductor GeFe

▲ [17a-E7-55] Transport measurements toward gate-controlled transition between persistent and inverse persistent spin helix states

▲ [17a-E7-56] All electrical determination of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interactions in InGaAs narrow wires

[19p-E7-5~21] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

▲ [19p-E7-5] (Ga,Mn)Asの長波長光(λ > 820 nm)による光誘起FMRの励起過程

▲ [19p-E7-6] Detection of photo-induced ferromagnetic resonance in Co/Pd multilayers with oblique incidence angles

▲ [19p-E7-7] 磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける強磁性不純物バンドの解明

▲ [19p-E7-8] Magnetic anisotropy and anisotropic magneto-resistance in non-magnetic III-V/GaMnAs superlattices depending on layer thickness and valence band offset

△ [19p-E7-9] マンガンを添加したガリウム砒素発光ダイオードにおける可視光電界励起発光

▲ [19p-E7-10] Continuous reddish-yellow visible-light emission at room temperature in Mn-doped Si surface light-emitting diodes

▼ [19p-E7-13] Electric field effects on Li codoped (Ga,Mn)As

▼ [19p-E7-14] Electrical control of ferromagnetism in n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As quantum wells

△ [19p-E7-16] 非磁性半導体スピンフィルター実現に向けた二重量子井戸の改善

▲ [19p-E7-17] Detection of inter-subband carrier rearrangement by using a magnetic focusing technique

▲ [19p-E7-18] スピン干渉フィルター素子動作の検証

▲ [19p-E7-19] 量子ポイントコンタクト近傍のスピン偏極生成: 側面量子ドット検出

▲ [19p-E7-20] 半導体自己組織化量子ドットへのトンネル効果によるスピン注入；励起スピン密度依存性

△ [17a-E7-51] Ge_1-xMn_xTe薄膜の異常ネルンスト効果

▲ [17a-E7-52] Highly efficient detection of pure spin currents in n-Ge using L2₁-Co₂FeSi Heusler-compound electrodes