^○SamikDuttagupta¹，ShunsukeFukami²，MichihikoYamanouchi^1,2，ChaoliangZhang¹，HideoSato²，ShojiIkeda^1,2，FumihiroMatsukura^1,2,3，HideoOhno^1,2,3 (RIEC, Tohoku Univ¹，CSIS, Tohoku Univ.²，WPI-AIMR, Tohoku Univ.³)

09:30 〜 09:45

▲ [19a-E7-3] Spin wave induced domain wall motion in perpendicularly magnetized system

^○畑拓志¹，谷口卓也¹，Hyun-WooLee²，森山貴広¹，小野輝男¹ (京大化研¹，POSTECH²)

09:45 〜 10:00

▲ [19a-E7-4] Reduction of Schottky Barrier Height for Fe/n-type Ge Junction by Inserting a Thin GeO₂ Layer

^○齋藤秀和¹，佐藤友基^1,2，高田哲朗^1,2，JansenRon¹，湯浅新治¹，安藤功兒¹ (産総研¹，明大理工²)

10:00 〜 10:15

[19a-E7-5] L2₁-Co₂FeSi/MgO/n⁺-SOIを用いたスピン蓄積信号のバイアス電圧依存性

^○石川瑞恵¹，杉山英行¹，井口智明¹，棚本哲史¹，浜屋宏平²，手束展規³，斉藤好昭¹ (東芝研開セ¹，九大院シス情報²，東北大³)

10:15 〜 10:30

▼ [19a-E7-6] CoFe thickness dependence of spin injection properties for Co₂MnSi/CoFe/n-GaAs junctions

^○蝦名優也，秋保貴史，劉宏喜，山本眞史，植村哲也 (北大院情報科学研究科)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

▲ [19a-E7-7] Magneto-transport properties of Co₂FeGa_0.5Ge_0.5/Cu lateral spin valve devices

^○（D）IkhtiarIkhtiar^1,3，葛西伸哉³，伊藤彰秀^2,3，高橋有紀子³，大久保忠勝^2,3，三谷誠司^1,3，宝野和博^1,3 (筑波大¹，東京理科大²，物材機構³)

11:00 〜 11:15

[19a-E7-8] Co₂FeGa_0.5Ge_0.5/Cu非局所面内スピンバルブ素子のナノ組織解析

^○伊藤彰秀^1,3，IkhtiarIkhtiar^2,3，大久保忠勝^1,3，葛西伸哉³，高橋有紀子³，三谷誠司^2,3，宝野和博^2,3 (東京理科大¹，筑波大²，物材機構³)

11:15 〜 11:30

▼ [19a-E7-9] Origin of enhancement of the spin detection sensitivity in a spin Esaki diode structure

11:30 〜 11:45

▲ [19a-E7-10] High Power Spin Torque Oscillation in a Co₂(Fe,Mn)Si Layer

^○関剛斎¹，桜庭裕弥¹，荒井礼子²，植田正輝¹，大倉遼¹，今村裕志²，高梨弘毅¹ (東北大金研¹，産総研²)

11:45 〜 12:00

▲ [19a-E7-11] スピントルク発振素子–磁性体結合系における発振スペクトルの先鋭化

^○工藤究，首藤浩文，永澤鶴美，水島公一，佐藤利江 (東芝研究開発センター)

一般セッション(口頭講演)

[19p-E7-1~4] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

2014年3月19日(水) 13:00 〜 14:00 E7 (E201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食 12:00〜13:00 （12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[19p-E7-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）電界誘起磁化ダイナミクスの実時間観測

^○金井駿¹，仲谷栄伸²，山ノ内路彦^1,3，池田正二^1,3，松倉文礼^3,4，大野英男^1,3,4 (東北大通研ﾅﾉ･ｽﾋﾟﾝ実験施設¹，電気通信大²，東北大CSIS³，東北大WPI-AIMR⁴)

13:15 〜 13:30

▼ [19p-E7-2] Ferromagnetic resonance spectra of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions measured by homodyne detection

^○平山絵里子¹，金井駿¹，佐藤浩司²，山ノ内路彦^1,3，佐藤英夫³，池田正二^1,3，松倉文礼^2,3，大野英男^1,2,3 (東北大通研¹，東北大WPI-AIMR²，東北大CSIS³)

13:30 〜 13:45

▲ [19p-E7-3] スピンゼーベク効果とオンサーガー互恵

^○BauerGerrit (東北大金属材料研究所)

13:45 〜 14:00

▲ [19p-E7-4] Observation of Spin Seebeck Effect at Low Temperature

^○山上順也，加来滋，吉野淳二 (東工大院理工)

セッション一覧

10．スピントロニクス・マグネティクス » 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

[17a-E7-14~33] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

▲ [17a-E7-14] Mn系垂直磁化薄膜のサブテラヘルツ磁化才差ダイナミクス

▼ [17a-E7-15] Anomalous Nernst effect in Co-substituted Mn-Ga epitaxial thin films

▲ [17a-E7-16] Anti-ferromagnetic Exchange Interaction of D0₂₂-Mn₇₀Ga₃₀/CoB Bilayer

[17a-E7-17] 異なるL1₀規則度を有するFePd薄膜の磁化歳差ダイナミクス

[17a-E7-18] Fe/CoPt磁性二層膜被覆した磁気力顕微鏡探針の空間分解能と反転磁界

▼ [17a-E7-19] Ta and CoFeB thickness dependence of sheet resistance in Ta/CoFeB/MgO heterostructures

▲ [17a-E7-20] Influence of Nonmagnetic Materials Doping on Interfacial Magnetic Anisotropy and Damping in CoFeB/MgO Films

[17a-E7-21] Co₂Fe(Al,Si)/n-GaAs接合を有したスピン輸送デバイスにおける局所スピンシグナルのバイアス依存性

▼ [17a-E7-22] Analysis of Hanle-effect signals observed in a Si-channel spin-accumulation device with a high-quality CoFe/MgO/Si spin injector

▼ [17a-E7-23] Spin lifetime in strained InGaAs channels investigated in four-terminal nonlocal geometry

▲ [17a-E7-24] Crossover of three-terminal resistance from tunneling anisotropic magnetoresistance to tunneling anisotropic spin polarization

▼ [17a-E7-25] ナノコンタクトにおける電気伝導特性

▲ [17a-E7-26] High sensitivity ferromagnetic resonance measurement using microwave interferometer

[17a-E7-27] Theory of spin torque resonance for magnetic insulators

[17a-E7-28] ネットワークアナライザによる静磁表面スピン波の非相反性の測定

[17a-E7-29] Spin Hall magnetoresistance and spin pumping in a trilayer with magnetic insulators

▲ [17a-E7-30] Nonlinear Effect of Spin Pumping in Microfabricated Devices with Permalloy/Pt

[17a-E7-31] 磁性絶縁体におけるスピン‐電気変換現象の観測

△ [17a-E7-32] 中性粒子ビームによる錯体化反応を用いた低温ダメージフリー遷移金属エッチングプロセス

[17a-E7-33] 高速STT-MRAMとSRAMとの性能／電力に関する比較

[19a-E7-1~11] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

▼ [19a-E7-1] 電流誘起磁壁移動素子のしきい電流と熱安定性の素子サイズ依存性

▼ [19a-E7-2] Current induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire

▲ [19a-E7-3] Spin wave induced domain wall motion in perpendicularly magnetized system

▲ [19a-E7-4] Reduction of Schottky Barrier Height for Fe/n-type Ge Junction by Inserting a Thin GeO₂ Layer

[19a-E7-5] L2₁-Co₂FeSi/MgO/n⁺-SOIを用いたスピン蓄積信号のバイアス電圧依存性

▼ [19a-E7-6] CoFe thickness dependence of spin injection properties for Co₂MnSi/CoFe/n-GaAs junctions

▲ [19a-E7-7] Magneto-transport properties of Co₂FeGa_0.5Ge_0.5/Cu lateral spin valve devices

[19a-E7-8] Co₂FeGa_0.5Ge_0.5/Cu非局所面内スピンバルブ素子のナノ組織解析

▼ [19a-E7-9] Origin of enhancement of the spin detection sensitivity in a spin Esaki diode structure

▲ [19a-E7-10] High Power Spin Torque Oscillation in a Co₂(Fe,Mn)Si Layer

▲ [19a-E7-11] スピントルク発振素子–磁性体結合系における発振スペクトルの先鋭化

[19p-E7-1~4] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

[19p-E7-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）電界誘起磁化ダイナミクスの実時間観測

▼ [19p-E7-2] Ferromagnetic resonance spectra of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions measured by homodyne detection

▲ [19p-E7-3] スピンゼーベク効果とオンサーガー互恵

▲ [19p-E7-4] Observation of Spin Seebeck Effect at Low Temperature

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[17a-E7-14~33] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

▲ [17a-E7-14] Mn系垂直磁化薄膜のサブテラヘルツ磁化才差ダイナミクス

▼ [17a-E7-15] Anomalous Nernst effect in Co-substituted Mn-Ga epitaxial thin films

▲ [17a-E7-16] Anti-ferromagnetic Exchange Interaction of D022-Mn70Ga30/CoB Bilayer

▼ [17a-E7-19] Ta and CoFeB thickness dependence of sheet resistance in Ta/CoFeB/MgO heterostructures

▲ [17a-E7-20] Influence of Nonmagnetic Materials Doping on Interfacial Magnetic Anisotropy and Damping in CoFeB/MgO Films

▼ [17a-E7-22] Analysis of Hanle-effect signals observed in a Si-channel spin-accumulation device with a high-quality CoFe/MgO/Si spin injector

▼ [17a-E7-23] Spin lifetime in strained InGaAs channels investigated in four-terminal nonlocal geometry

▲ [17a-E7-24] Crossover of three-terminal resistance from tunneling anisotropic magnetoresistance to tunneling anisotropic spin polarization

▼ [17a-E7-25] ナノコンタクトにおける電気伝導特性

▲ [17a-E7-26] High sensitivity ferromagnetic resonance measurement using microwave interferometer

▲ [17a-E7-30] Nonlinear Effect of Spin Pumping in Microfabricated Devices with Permalloy/Pt

△ [17a-E7-32] 中性粒子ビームによる錯体化反応を用いた低温ダメージフリー遷移金属エッチングプロセス

[19a-E7-1~11] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

▼ [19a-E7-1] 電流誘起磁壁移動素子のしきい電流と熱安定性の素子サイズ依存性

▼ [19a-E7-2] Current induced domain wall creep in Ta/CoFeB/MgO/Ta wire

▲ [19a-E7-3] Spin wave induced domain wall motion in perpendicularly magnetized system

▲ [19a-E7-4] Reduction of Schottky Barrier Height for Fe/n-type Ge Junction by Inserting a Thin GeO2 Layer

▼ [19a-E7-6] CoFe thickness dependence of spin injection properties for Co2MnSi/CoFe/n-GaAs junctions

▲ [19a-E7-7] Magneto-transport properties of Co2FeGa0.5Ge0.5/Cu lateral spin valve devices

▼ [19a-E7-9] Origin of enhancement of the spin detection sensitivity in a spin Esaki diode structure

▲ [19a-E7-10] High Power Spin Torque Oscillation in a Co2(Fe,Mn)Si Layer

▲ [19a-E7-11] スピントルク発振素子–磁性体結合系における発振スペクトルの先鋭化

[19p-E7-1~4] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

▼ [19p-E7-2] Ferromagnetic resonance spectra of CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions measured by homodyne detection

▲ [19p-E7-3] スピンゼーベク効果とオンサーガー互恵

▲ [19p-E7-4] Observation of Spin Seebeck Effect at Low Temperature

▲ [17a-E7-16] Anti-ferromagnetic Exchange Interaction of D0₂₂-Mn₇₀Ga₃₀/CoB Bilayer

▲ [19a-E7-4] Reduction of Schottky Barrier Height for Fe/n-type Ge Junction by Inserting a Thin GeO₂ Layer

▼ [19a-E7-6] CoFe thickness dependence of spin injection properties for Co₂MnSi/CoFe/n-GaAs junctions

▲ [19a-E7-7] Magneto-transport properties of Co₂FeGa_0.5Ge_0.5/Cu lateral spin valve devices

▲ [19a-E7-10] High Power Spin Torque Oscillation in a Co₂(Fe,Mn)Si Layer