[17p-E5-1~13] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-E5-3] 4H-SiC C面微傾斜エピタキシャル成長における成長条件と積層欠陥密度の関係

^○升本恵子^1,2，伊藤佐千子^1,2，浅水啓州^1,3，田村謙太郎^1,3，工藤千秋^1,4，西尾譲司^1,5，児島一聡^1,2，大野俊之^1,6，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，ローム³，パナソニック⁴，東芝⁵，日立⁶)

キーワード：SiC,エピタキシャル,C面