[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

△ [18p-D8-11] Al₂O₃/GaSb MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討

^○（M1）後藤高寛^1,2，藤川紗千恵¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎² (東理大院基礎工¹，産総研²)

キーワード：GaSb,,MOS,Al2O3