[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

△ [18p-E5-7] ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案

^○染谷満¹，岡本大¹，原田信介¹，石森均¹，高須伸次¹，畠山哲夫¹，武井学²，児島一聡¹，米澤善幸¹，福田憲司¹，奥村元¹ (産総研先進パワエレ¹，富士電機²)

キーワード：SiC,信頼性,しきい値電圧