[19p-F9-1~17] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥

[19p-F9-13] 軽元素イオン注入によるSiウェーハ中の遷移金属に対する近接ゲッタリング効果

^○古賀祥泰，栗田一成，奥田秀彦，門野武，奥山亮輔，岩永卓郎 (SUMCO)

キーワード：近接ゲッタリング,イオン注入,シリコンウェーハ