[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-14] 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程

〇戸松 侑輝¹、道幸 雄真¹、石丸 大樹¹、橋本 明弘¹ (1.福井大院工)

キーワード：窒化インジウム、グラフェン