[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-10] AlGaN/GaNデバイスの表面パッシベーション膜堆積前処理の効果

〇篠原 正俊¹、近藤 佑隆¹、岡田 浩^2,1、関口 寛人¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩^1,2 (1.豊橋技科大工、2.豊橋技科大EIIRIS)

キーワード：AlGaN/GaNデバイス、表面パッシベーション