[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-9] プラズマCVDにより形成されたSiO₂/InAlN 界面の評価

〇清野 惇¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：InAlN

InAlNはGaNと格子整合し、界面に大きな伝導帯不連続量と高密度の分極電荷を誘起して高密度の2次元電子ガスを発生させることができるので、GaN系HEMTの材料として有用である。HEMTにおいてゲート漏れ電流の低減を図り、またノーマリオフ動作を実現するためには、絶縁膜の導入が有効である。一方、SiO₂は広いバンドギャップを有しており、InAlN上に堆積する絶縁膜として有用である可能性がある。本研究においては、一般に広く用いられているプラズマCVD法によりSiO₂の堆積を行い、界面の特性を評価した結果について報告する。