[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-8] GaN表面の熱酸化膜形成過程の評価

〇山田 高寛¹、伊藤 丈予¹、淺原 亮平¹、野崎 幹人¹、中澤 敏志²、石田 昌宏²、上田 哲三²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック)

キーワード：窒化ガリウム、熱酸化