The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14p-PB2-1~21] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Mon. Sep 14, 2015 1:30 PM - 3:30 PM PB2 (Shirotori Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[14p-PB2-7] Photoelectrochemical characterization of n-type GaN porous structures for use in photocatalytic water-splitting system

〇Hirofumi Kida1, Yusuke Kumazaki1, Zenji Yatabe1, Taketomo Sato1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN,photocatalysis,electrochemical reaction

窒化ガリウム(GaN)は、広い禁制帯幅や化学的な安定性など、光触媒材料として魅力的な特徴を有する。高効率なGaN光触媒電極の実現を目指し、電気化学的手法による多孔質構造の形成と、その光電気化学特性を調査した。