[15a-1B-1~10] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15a-1B-9] 大気圧プラズマCVD法を用いたβ -Ga₂O₃薄膜の低温成長

〇木口 拓也¹、野瀬 幸則¹、高田 賢志¹、上原 剛²、藤村 紀文¹ (1.阪府大　工、2.積水化学)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ、プラズマ

β -Ga₂O₃は1アニオン系の単純酸化物であるものの4配位と6配位のGaが交互に積層する複雑な構造を有しており、熱エネルギーのみを用いた高温での成長方法ではGaの再蒸発による点欠陥の生成が懸念される。本研究では、膜中の欠陥を低減し、かつ低温成長が期待できる大気圧非平衡プラズマCVDプロセス(AP-CVD)に着目して研究を行っている。今回、成長温度を変化させて作製した薄膜の結晶性や実効ドナー密度との相関について検討したので報告する。