[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-6] i 線ステッパ低容量Y ゲートプロセスによるf_T110GHz InAlN/GaN HEMT

〇市川 弘之¹、眞壁 勇夫¹、河内 剛志¹、中田 健¹、井上 和孝¹ (1.住友電工伝送デバイス研)

キーワード：GaN、HEMT、InAlN

我々はi線ステッパを用いたY ゲートプロセスを開発して、高いg_mが確保できるInAlN 供給層と組み合わせることで、ゲート容量（C_gs）0.9pF/mm、電流利得遮断周波数（f_T）70GHz の結果を以前に報告した。今回、f_Tを更に高めるために、ゲート長とゲート電極幅を短縮することでC_gsの低減を図った。その結果、C_gsを0.58pF/mm に低減して、f_Tを110GHz まで高めることに成功した。