[15p-PA4-1~5] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-PA4-2] ソース・ドレイン内の不純物イオン密度増加によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析

〇小川 雄己¹、鎌倉 良成²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.阪大院工)

キーワード：電界効果トランジスタ、ナノワイヤ、デバイスシミュレーション