[16a-2D-5~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16a-2D-10] EBSP法を用いたSiGe/Geナノワイヤー構造に生じる応力緩和分布の高空間分解能測定

〇富田 基裕^1,2、武内 一真¹、山本 章太郎¹、小瀬村 大亮¹、臼田 宏治³、小椋 厚志¹ (1.明大理工、2.学振特別研究員PD、3.産総研GNC)

キーワード：半導体、歪SiGe、EBSP

我々はこれまで、EBSP法によるSiGeの評価を行ってきたが、幅50 nmの細線を評価することは困難であった。EBSPでは鮮明な回折像を得るために、電子線の電流量を高くする必要があり、半導体材料においてもチャージアップの影響が避けられないためである。本研究では広域電子線照射によりチャージアップの影響を低減する手法により、EBSPよる最小幅50 nmの高Ge濃度歪SiGeワイヤーの評価に成功した。