[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-A21-3] InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討

〇前田 章臣¹、辻 大介¹、竹鶴 達哉¹、藤川 紗千恵¹、藤代 博記¹、渡邊 一世²、山下 良美²、遠藤 聡²、原 紳介²、笠松 章史² (1.東理大院基礎工, 2.情報通信研究機構)

キーワード：InSb、プロセス