16:30 〜 16:45 [15p-C302-10] A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察 〇須藤 正喜1、姚 永昭2、菅原 義弘2、石川 由加里1,2、加藤 正史1 (1.名工大、2.ファインセラミックセンター)