[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-6] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO₂/4H-SiC界面の局所容量特性評価

〇山岸 裕史¹、茅根 慎通¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：MOS界面、界面準位、走査型非線形誘電率顕微鏡

半導体/酸化膜界面の評価手法としてC–V法やDLTSなどの容量測定をベースとした手法が広く用いられているが、我々は試料の局所的な容量特性を測定可能な走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いた評価手法を提案している。本研究では、SiC-MOSキャパシタ試料への印加バイアスを掃引した時の容量特性の変化をSNDMによって試料上の各点で測定することで試料の界面準位密度の評価を行った内容について報告する。