[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-9] 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析

〇岡本 大¹、張 旭芳¹、畠山 哲夫²、染谷 満²、原田 信介²、小杉 亮治²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、酸化膜、界面準位

SiC MOS界面における容量やコンダクタンスの周波数解析においては、直列抵抗の影響を十分考慮する必要がある。本研究では、III-V MIS界面の評価において提案されている補正手法をSiC MOS界面に対して適用した。蓄積状態で測定した容量およびコンダクタンスに対して補正を行ったところ、補正後の容量の値およびコンダクタンスの値に周波数依存性が確認された。これは、界面近傍酸化膜トラップの周波数応答が影響しているためと考えられる。