[16p-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16p-B1-3] Fabrication and Electric Characteristics Evaluation of GaN-MIS Capacitor with BN

〇Junya Matsushita¹, Kentarou Nagamatsu², Xu Yang¹, Atushi Tanaka², Maki Kushimto¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.Akasaki Research Center, 4.VBL)

Keywords:GaN power devices, MIS capacitor

パワーデバイスのノーマリーオフ動作・大電流・高周波動作化に期待できるGaN-MISトランジスタ実現のためには、ゲート絶縁膜の信頼性向上が必要不可欠である。しかしながら、GaNデバイスにおける絶縁膜は何れも堆積膜であり、絶縁性の向上や絶縁膜/GaN界面における界面準位の低減が要求されている。そこで本研究では、窒化ホウ素（Boron Nitride: BN）を絶縁膜に用いたGaN-MISキャパシタの電気特性評価を行った。