[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-7] Siウェーハにおける傷を起点としたSlip転位発生の臨界応力

〇藤瀬 淳¹、小野 敏昭¹ (1.株式会社　SUMCO)

キーワード：シリコン、転位、強度

Slip転位が発生する限界である臨界応力と傷の関係を把握することはデバイスの歩留まりを向上させる上で重要である．これまでにその関係は明確になっていないため，本研究では，故意に傷を導入したサンプルを用いた高温3点曲げ試験により明らかにした．