[20p-H113-1~13] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

△ [20p-H113-8] Oxygen effect on dislocation multiplication in a silicon crystal

〇Wataru Fukushima¹, Bing Gao², Hirofumi Harada², Yshiji Miyamura², Satoshi Nakano², Koichi Kakimoto^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:silicon,dislocation

Si結晶中の酸素は，転位との相互作用により転位を不動化させることが報告されている[1]．CZ法により製造したSi結晶には程度の酸素原子が固溶しており，高温処理時などで転位の増殖が抑制される．酸素原子は，転位増殖に大きな影響を及ぼしており，このメカニズムを明らかにすることで結晶育成中の転位密度の予測精度を向上させることが可能になる．本発表では，Si結晶の冷却過程において，酸素原子を考慮したモデルで転位密度の３次元解析を行うことにより，結晶中の転位増殖に及ぼす固溶した酸素の影響，転位の増殖機構を解析した結果を報告する