[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-13] FLAを用いたn+/p接合Geにおける高活性化と浅い接合形成

〇谷村 英昭¹、河原崎 光¹、小野 行雄¹、山田 隆泰¹、加藤 慎一¹、青山 敬幸¹、小林 一平¹ (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ)

キーワード：ゲルマニウム、活性化、浅接合

高性能トランジスタのチャネル材料の候補として、Geが注目を集めている。しかしながら、n型不純物のリン(P)や砒素(As)は、p型不純物のボロン(B)と比較して拡散が早く、浅い接合形成に関する報告例は少ない。本研究はPおよびAsを注入したGe基板に対し、FLA(Flash Lamp Anneal)処理を施すことで、高活性化を実現し、且つ浅い接合形成が可能か検証した。