[20p-S423-1~19] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[20p-S423-13] High activation in n+/p Ge and formation of shallow junction by Flash Lamp Anneal(FLA)

〇Hideaki Tanimura¹, Hikaru Kawarazaki¹, Yukio Ono¹, Takahiro Yamada¹, Shinichi Kato¹, Takayuki Aoyama¹, Ippei Kobayashi¹ (1.SCREEN Semiconductor Solutions)

Keywords:germanium,activation,shallow juncition

高性能トランジスタのチャネル材料の候補として、Geが注目を集めている。しかしながら、n型不純物のリン(P)や砒素(As)は、p型不純物のボロン(B)と比較して拡散が早く、浅い接合形成に関する報告例は少ない。本研究はPおよびAsを注入したGe基板に対し、FLA(Flash Lamp Anneal)処理を施すことで、高活性化を実現し、且つ浅い接合形成が可能か検証した。