[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-14] ドライエッチングしたGaN表面の酸化処理によるSiO₂/GaN界面特性改善

〇(PC)山田 高寛¹、渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、高橋 言諸²、山田 永²、清水 三聡²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、ドライエッチング、界面特性

エピGaN層付き自立GaN基板表面のICPドライエッチングを行い、SiO₂/GaN構造の界面特性を調査。ドライエッチングした試料では、C-Vカーブの傾きや周波数分散の観察から、エッチングによる欠陥導入によって界面特性が劣化することが確認された。一方、そのエッチング表面にO₂プラズマ処理を施すことで、界面特性が改善されることがわかった。