[5p-C17-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[5p-C17-13] Characteristics of n-GaN Schottky diodes treated by ultra-low power ICP-RIE

〇Shinji Yamada^1,2, Hideki Sakurai^1,2, Masato Omori¹, Yamato Osada², Ryuichiro Kamimura², Jun Suda^1,3, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.ULVAC ISET, 3.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, ICP-RIE, SBD

大電流駆動・高耐圧を有する次世代パワーデバイスとして、GaN縦型パワーデバイスが注目されている。このデバイス構造を実現する上で重要なプロセス技術の一つであるドライエッチング技術の開発を行っている。今回、春の応用物理学会の続報として、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いてGaN表面を更に低バイアスパワーにてエッチングしたショットキーダイオードを作製し、GaNへの低ダメージ化を試みた結果を報告する。