[5p-C17-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[5p-C17-14] Improved SiO₂/GaN interface properties on dry-etched GaN surfaces by oxidation treatments

〇(PC)Takahiro Yamada¹, Kenta Watanabe¹, Mikito Nozaki¹, Tokio Takahashi², Hisashi Yamada², Mitsuaki Shimizu², Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:GaN, Dry etching, Interface properties

エピGaN層付き自立GaN基板表面のICPドライエッチングを行い、SiO₂/GaN構造の界面特性を調査。ドライエッチングした試料では、C-Vカーブの傾きや周波数分散の観察から、エッチングによる欠陥導入によって界面特性が劣化することが確認された。一方、そのエッチング表面にO₂プラズマ処理を施すことで、界面特性が改善されることがわかった。