[5p-C17-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[5p-C17-15] Characteristics of Schottky Barrier Junction and Surface Photovoltage in n-type GaN

〇Masato Ohmori¹, Shinji Yamada^1,2, Hideki Sakurai^1,2, Yamato Osada², Ryuichiro Kamimura², Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.ULVAC ISET)

Keywords:GaN, Schottky barrier junction

GaNはエッチングや熱処理、X線照射などによって表面状態が強く影響を受け、ショットキー接合特性やMOS特性を大きく変化させる。そのため、GaN表面状態と種々の特性変化との関係性を詳しく解明し、その原因を究明していくことが重要となる。本発表では、ドライエッチングにより表面ダメージが導入された試料を用いて表面光起電力効果を観測し、ショットキー接合特性との関連性を調べた結果を報告する。