[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-16] 自立GaN基板上p⁺-nダイオードのエピ層表面モフォロジーによる不均一な電流密度分布

〇林 賢太郎¹、太田 博¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、藤倉 序章²、塩島 謙次³、中村 徹¹、三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス、3.福井大院工)

キーワード：GaN、p-n接合ダイオード、モフォロジー

昨年、我々はGaN基板上p-n接合ダイオードのアノード電極下の発光パターンから表面モフォロジーに対応した電流分布があることを報告した。その際、p形層のMg濃度分布にも対応があったことを示した。今回、n形層のPLのイエロー（YL）強度にもモフォロジー対応の分布が見られたことから残留C濃度分布も電流分布に影響することを検証した。