[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6a-A503-9] Si単結晶成長における転位密度の半径方向温度差依存性

〇中野 智¹、劉 鑫¹、韓 学峰¹、柿本 浩一¹ (1.九大応力研)

キーワード：シリコン、転位

転位は結晶凝固終了後の冷却過程において急激に増加すること、また、結晶凝固後の冷却過程において、結晶温度の時間変化を小さくし、温度勾配を低減させる徐冷の方が、転位密度が低減することが報告されている。本研究では、結晶凝固終了後の冷却過程において、急冷した場合と徐冷した場合における転位密度分布の3次元数値解析を行い、結晶中の転位増殖に及ぼす結晶温度分布と冷却速度の解析を行った。