[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6a-C21-3] 室温ソフトプラズマによるSiC_xN_yO_z薄膜形成法

〇國枝 汰門¹、渡部 亨¹、マイ ホンミン¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：プラズマCVD、SiCNO、製膜機構

SiC_xN_yO_zはデバイスにおける銅の拡散を防止する目的などに用いる膜の材料として開発されている。SiC_xN_yO_z薄膜を形成するために、室温アルゴンプラズマ中でモノメチルシラン（SiH₃CH₃, MMS）ガスにより、非晶質SiC膜を形成する方法の応用を試みたので、その詳細を報告する。