2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 新デバイス・材料開発のためのナノスケール3次元分析(I)

[6p-C19-1~8] 新デバイス・材料開発のためのナノスケール3次元分析(I)

2017年9月6日(水) 13:45 〜 17:30 C19 (C19)

小山 正人(東芝)、橋詰 富博(日立)

16:45 〜 17:00

[6p-C19-7] 微細3次元デバイスに対応した10nm以下特定位置STEM分析のためのFIB加工技術

渡辺 圭1、志摩 会実佳1、福嶌 豊1 (1.東芝ナノアナリシス)

キーワード:FIB加工、走査透過型電子顕微鏡(STEM)、多結晶Si チャネル

3次元デバイスである多結晶-Si ナノワイヤ薄膜トランジスタ(Ploy-Si NW TFT)の微小領域の分析のための、FIB加工を用いた特定箇所のSTEM試料作製技術を開発した例について紹介する。我々は、市販のトリプルビームFIB加工装置を用いて、FIB加工により形成される非晶質ダメージ層の厚みを制御しつつ、数nmレベルで加工領域を制御して、35nm程度の厚さのChannel部分のみを切り出す試料の作製方法を開発した。