[6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6p-C21-18] ハーフインチサイズパッケージのレーザビア形成プロセス

〇居村 史人^1,2、井上 道弘¹、猿渡 新水¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード：ミニマル

我々はミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの開発を進めてきた。本プロセスのレーザビア加工では、ビア底にモールド樹脂の残渣（スミア）や、モールド樹脂に含有しているガラス系の球状の粒（シリカフィラー）がビア底に残存しやすく、これらがビア底でのウェハ上Al電極とCu配線との電気的接続を阻害する要因となっていた。今回、レーザビア加工プロセスとその後の洗浄プロセスについて評価を行ったので報告する。