[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-28] 表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価(2)

〇馬場 真人¹、中村 健人¹、岡田 浩^2,1、古川 雅一³、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、若原 昭浩^1,2 (1.豊技大工、2.EIIRIS、3.ARLC)

キーワード：表面波プラズマ、化学気相堆積法、シリコン酸化膜

我々は独自開発した表面波プラズマを用いたシリコン系絶縁膜の化学気相堆積法を提案している。本発表ではシリコン酸化(SiO₂)膜の堆積条件の膜質への依存性を評価した。
p型Si基板上にSiO₂膜を堆積した結果を原子間力顕微鏡により表面モフォロジーを測定した結果RNS=0.172 nmの平坦な膜が得られた。MOSダイオードを作製し、耐圧試験を行った結果6 MV/cm印加時にリーク電流10^-7 A/cm²が得られ、有機シリコン原料を用いた他のCVD法の膜と同等以下が得られた。