[7a-S22-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7a-S22-4] GaNエピウエハ内部の欠陥密度抽出法の提案

〇片岡 寛明¹、星井 拓也¹、宗田 伊理也¹、若林 整¹、筒井 一生²、岩井 洋²、角嶋 邦之¹、山本 大貴³ (1.東工大工、2.東工大研究院、3.住友化学)

キーワード：GaN、欠陥密度抽出